Particle-PLUS技術コラム/自己バイアス効果

自己バイアス効果　 -self bias-

プロセスプラズマを用いた誘電体膜の成膜手法のひとつである、RFマグネトロンスパッタの解析事例です。 Particle-PLUSは真空チャンバ内のプラズマ解析を得意としており、高速に成膜速度などのシミュレーションを行うことができます。

項目・・・

a.『概要』

b.『計算モデル(A)』

c.『計算モデル(B)』

d.『計算モデル(C)』

e.『計算結果：電位　＊サイクル平均』

f.『計算結果：イオン密度　＊サイクル平均』

g.『計算結果：イオンフラックス　＊サイクル平均』

h.『まとめ』

←「RFマグネトロンの誘電体スパッタ」に戻る

←「CCPによるクリーニング処理」に戻る

←「CCP装置の3次元解析」に戻る

←「2周波CCPのプラズマ解析」に戻る

←「GEC-CCP装置のプラズマ解析」に戻る

←「Particle-PLUS　事例集」へ戻る

株式会社ウェーブフロント 

営業部 

メール：sales@wavefront.co.jp

TEL：045-682-7070